Comparaison de la RAM Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Note globale

Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

25 27

Autour de 7% latence réduite

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

14.6 12.6

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

10.5 7.7

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

17000 10600

Autour de 1.6 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

1381 2409

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns