RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Comparez
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Note globale
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
30
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
30
Vitesse de lecture, GB/s
14.1
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2354
3473
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB Comparaison des RAM
Kingston KF556C40-16 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB Comparaison des RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kllisre 0000 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G1D1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link