RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Comparez
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Note globale
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Note globale
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
43
Autour de 40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.1
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
43
Vitesse de lecture, GB/s
14.1
11.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2354
2532
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB Comparaison des RAM
Kingston KF556C40-16 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link