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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Comparez
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Note globale
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Note globale
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Différences
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Raisons de considérer
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
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Raisons de considérer
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
26
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
23
Vitesse de lecture, GB/s
14.1
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2354
2591
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB Comparaison des RAM
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Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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