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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Comparez
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Note globale
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Note globale
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
32
Autour de 19% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
32
Vitesse de lecture, GB/s
14.1
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2354
2952
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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