RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Comparez
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Note globale
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Note globale
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
32
Autour de 19% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
32
Vitesse de lecture, GB/s
14.1
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2354
2952
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB Comparaison des RAM
Kingston KF556C40-16 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link