RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Comparez
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
44
Autour de -83% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
24
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1853
3037
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB Comparaison des RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link