RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Comparez
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
44
Autour de -42% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
31
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1853
2897
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB Comparaison des RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link