RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Comparez
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Note globale
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
44
Autour de -52% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
29
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1853
2950
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link