RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Comparez
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Note globale
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
44
Autour de -19% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
37
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1853
3075
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB Comparaison des RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link