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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Comparez
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Note globale
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Différences
Spécifications
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Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Raisons de considérer
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
25
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.4
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.8
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
24
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
20.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
16.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2051
4110
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B5170GB0-CH9 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
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