RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Comparez
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.6
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.2
6.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
25
Autour de -4% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
24
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
12.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
6.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2051
1433
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Comparaison des RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB Comparaison des RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link