RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Comparez
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Note globale
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
65
Autour de 62% latence réduite
Raisons de considérer
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
65
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2051
2058
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Comparaison des RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link