RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Comparez
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
31
Autour de 19% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2051
2605
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Comparaison des RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link