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PNY Electronics 4GBH2X02HBBB30-165 4GB
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PNY Electronics 4GBH2X02HBBB30-165 4GB

Revue RAM PNY Electronics 4GBH2X02HBBB30-165 4GB, spécifications, benchmarks

PNY Electronics 4GBH2X02HBBB30-165 4GB examen des modules de mémoire. Principales caractéristiques techniques et évaluation des performances de référence de PassMark. Nous suggérons d'étudier toutes les données et de les comparer avec le modèle concurrentiel.
Spécifications Tests de performance Commentaires

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Caractéristiques
  • Type
    DDR3
  • Nom
    PNY Electronics 4GBH2X02HBBB30-165
  • Caractéristiques
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Largeur de bande de la mémoire
    12800 mbps
  • Timings / Vitesse d'horloge

    * vérifier le site web du fabricant

    9-9-9-24 / 1600 MHz
Performance par PassMark
  • Latence
    22 ns
  • Vitesse de lecture
    16.3 GB/s
  • Vitesse d'écriture
    10.7 GB/s
# 1066 1333 1600 1866 2000 2133 2400 2600 2666 2800 2933 3000 3100 3200 MT/s
7 13.13 10.50 8.75 7.50 7.00 6.56 5.83 5.38 5.25 5.00 4.77 4.67 4.52 4.38
8 15.01 12.00 10.00 8.57 8.00 7.50 6.67 6.15 6.00 5.71 5.46 5.33 5.16 5.00
9 16.89 13.50 11.25 9.65 9.00 8.44 7.50 6.92 6.75 6.43 6.14 6.00 5.81 5.63
10 18.76 15.00 12.50 10.72 10.00 9.38 8.33 7.69 7.50 7.14 6.82 6.67 6.45 6.25
11 20.64 16.50 13.75 11.79 11.00 10.31 9.17 8.46 8.25 7.86 7.50 7.33 7.10 6.88
12 22.51 18.00 15.00 12.86 12.00 11.25 10.00 9.23 9.00 8.57 8.18 8.00 7.74 7.50
13 24.39 19.50 16.25 13.93 13.00 12.19 10.83 10.00 9.75 9.29 8.86 8.67 8.39 8.13
14 26.27 21.01 17.50 15.01 14.00 13.13 11.67 10.77 10.50 10.00 9.55 9.33 9.03 8.75
15 28.14 22.51 18.75 16.08 15.00 14.06 12.50 11.54 11.25 10.71 10.23 10.00 9.68 9.38
16 30.02 24.01 20.00 17.15 16.00 15.00 13.33 12.31 12.00 11.43 10.91 10.67 10.32 10.00
CL

La latence du CAS mesure le nombre de cycles d'horloge qui s'écoulent entre le moment où une demande de lecture de données est formulée et celui où ces informations sont disponibles.

Tests de performance

Tests réels PNY Electronics 4GBH2X02HBBB30-165 4GB
Latence
Délai moyen de PassMark
40 ns
39 ns
39 ns
37 ns
38 ns
38 ns
40 ns
45 ns
35 ns
22 ns
PNY Electronics 4GBH2X02HBBB30-165 4GB
Vitesse de transfert en lecture sans cache
Temps moyen de lecture de la mémoire sans mise en cache
14.4 ns
14.4 ns
14.5 ns
15.5 ns
14.8 ns
14.7 ns
14.5 ns
11.9 ns
16.4 ns
16.3 ns
PNY Electronics 4GBH2X02HBBB30-165 4GB
Vitesse de transfert en écriture
Vitesse d'écriture moyenne
8.8 ns
8.8 ns
9.1 ns
10.1 ns
9.3 ns
9.3 ns
9.2 ns
8.1 ns
11.4 ns
10.7 ns
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