Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB
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Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB

Revue RAM Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB, spécifications, benchmarks

Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB examen des modules de mémoire. Principales caractéristiques techniques et évaluation des performances de référence de PassMark. Nous suggérons d'étudier toutes les données et de les comparer avec le modèle concurrentiel.

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Caractéristiques
  • Type
    DDR2
  • Nom
    Samsung M4 70T2864EH3-CE6
  • Caractéristiques
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Largeur de bande de la mémoire
    5300 mbps
  • Timings / Vitesse d'horloge

    * vérifier le site web du fabricant

    5-5-5-15 / 667 MHz
Performance par PassMark
  • Latence
    67 ns
  • Vitesse de lecture
    2,058.7 GB/s
  • Vitesse d'écriture
    1,122.9 GB/s
# 333 400 533 667 800 933 1067 MT/s
4 12.00 10.00 7.50 6.00 5.00 4.29 3.75
5 15.00 12.50 9.38 7.50 6.25 5.36 4.69
6 18.00 15.00 11.25 9.00 7.50 6.43 5.62
7 21.00 17.50 13.13 10.50 8.75 7.50 6.56
8 24.00 20.00 15.00 12.00 10.00 8.57 7.50
9 27.00 22.50 16.88 13.50 11.25 9.64 8.44
10 30.00 25.00 18.75 15.00 12.50 10.71 9.37
11 33.00 27.50 20.63 16.50 13.75 11.79 10.31
12 36.00 30.00 22.50 18.00 15.00 12.86 11.25
CL

La latence du CAS mesure le nombre de cycles d'horloge qui s'écoulent entre le moment où une demande de lecture de données est formulée et celui où ces informations sont disponibles.

Tests de performance

Tests réels Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB
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