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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Confronto
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
40
Intorno -5% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
11.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.2
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
38
Velocità di lettura, GB/s
11.3
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1654
2841
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
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Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
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