RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Confronto
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.3
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.5
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
10600
8500
Intorno 1.25% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
40
Intorno -33% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
40
30
Velocità di lettura, GB/s
11.3
10.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
8500
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1654
1479
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link