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A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1HS 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Confronto
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1HS 4GB vs Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1HS 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
87
Intorno -93% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12
5.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
3.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1HS 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
87
45
Velocità di lettura, GB/s
5.4
12.0
Velocità di scrittura, GB/s
3.8
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
955
1939
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1HS 4GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G1D1 4GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
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