RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Confronto
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
35
Intorno 26% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
4.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
35
Velocità di lettura, GB/s
9.8
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
4.6
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1560
2848
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link