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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Confronto
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
39
Intorno 33% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14
13
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
9.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
39
Velocità di lettura, GB/s
14.0
13.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.1
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2330
2808
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Confronto tra le RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
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