RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Confronto
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
32
Intorno 19% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
14
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
9.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
32
Velocità di lettura, GB/s
14.0
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.1
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2330
3277
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Confronto tra le RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link