RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Confronto
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
18.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,343.1
15.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
49
Intorno -75% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
28
Velocità di lettura, GB/s
5,135.8
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,343.1
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
843
3552
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Qimonda 64T128021EDL3SB2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link