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A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Confronto
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
40
Intorno -5% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.2
13.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
38
Velocità di lettura, GB/s
13.6
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2097
2148
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB Confronto tra le RAM
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5471-036.A00LF 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
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