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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Confronto
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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Motivi da considerare
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
41
Intorno -52% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.1
14
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.7
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
27
Velocità di lettura, GB/s
14.0
20.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
16.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2324
3759
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
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