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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Confronto
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Punteggio complessivo
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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Motivi da considerare
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
41
Intorno -28% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
14
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
32
Velocità di lettura, GB/s
14.0
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2324
1897
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
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