RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Confronto
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB vs A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
35
Intorno 40% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
13.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.0
7.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
21
35
Velocità di lettura, GB/s
17.8
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
10.0
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2771
2237
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3 1600G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link