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A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Confronto
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB vs Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
23
Intorno 9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
17.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
10.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
21
23
Velocità di lettura, GB/s
17.8
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
10.0
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2771
3037
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3 1600G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
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