RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Confronto
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
30
Intorno -15% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.1
16.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
11.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
26
Velocità di lettura, GB/s
16.8
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
11.5
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
21300
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3019
3061
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB Confronto tra le RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link