RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Confronto
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Punteggio complessivo
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
30
Intorno -3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
16.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
11.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
29
Velocità di lettura, GB/s
16.8
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
11.5
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3019
3113
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link