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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Confronto
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Punteggio complessivo
AMD R744G2606U1S 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
56
76
Intorno 26% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
AMD R744G2606U1S 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.7
1,925.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
76
Velocità di lettura, GB/s
4,315.2
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,925.7
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
658
1809
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Confronto tra le RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
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