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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Confronto
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
56
Intorno -155% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
1,925.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
22
Velocità di lettura, GB/s
4,315.2
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,925.7
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
658
2611
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Confronto tra le RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
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