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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Confronto
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
56
Intorno -93% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
1,925.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
6400
Intorno 3.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
29
Velocità di lettura, GB/s
4,315.2
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,925.7
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
23400
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
658
3093
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Confronto tra le RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
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