RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
66
Intorno -187% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
23
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
3025
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link