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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Punteggio complessivo
star star star star star
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB

Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Differenze

A-DATA Technology DQVE1908 512MB Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Segnala un bug
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    2 left arrow 18.5
    Valore medio nei test
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB Motivi da considerare
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Segnala un bug
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    21 left arrow 66
    Intorno -214% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    14.2 left arrow 1,557.9
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 6400
    Intorno 2.66 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    66 left arrow 21
  • Velocità di lettura, GB/s
    2,775.5 left arrow 18.5
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,557.9 left arrow 14.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    382 left arrow 2930

A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM

Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB

Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB Confronto tra le RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Memoria RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Memoria RAM
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
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Memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Memoria RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
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Memoria RAM
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
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Memoria RAM
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
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Memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
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