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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
66
Intorno -175% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
24
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
2353
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
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