RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
66
Intorno -113% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
31
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
2865
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link