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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
66
Intorno -267% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21.3
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.8
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
18
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
21.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
3778
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
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