RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
19.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
66
Intorno -175% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.2
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
24
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
19.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
18.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
3990
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link