RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
19.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
66
Intorno -247% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.9
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
19
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
19.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
14.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
3355
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link