RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
18.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
66
Intorno -164% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.3
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
25
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
18.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
16.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
3849
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Corsair CM3B8G2D1600K11S 8GB
Corsair CMSX8GX3M1A1600C10 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link