RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
17.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
66
Intorno -175% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
24
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
3257
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link