RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
12.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
50
66
Intorno -32% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.3
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
50
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
12.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
2326
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link