RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
17.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
66
Intorno -187% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
23
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
3260
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link