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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
11.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
66
Intorno -120% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.0
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
30
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
11.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
10.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
2580
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
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