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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
14.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
66
Intorno -89% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.1
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
35
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
11.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
2580
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
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