RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
17.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
66
Intorno -136% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
28
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
3567
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link