RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
17.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
66
Intorno -136% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.7
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
28
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
14.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
3660
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Corsair CGM2X2GS800 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link