RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
10.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
44
66
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.8
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
44
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
10.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
2374
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link