RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
66
Intorno -74% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
38
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
2382
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-040.A00LF 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link