RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
66
Intorno -65% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
40
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
2100
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link